sobota, 18/5/2024 | 10:22 CEST
You are here:  / Edukacja i Nauka / Metalizacja wielowarstwowa

Metalizacja wielowarstwowa

post by related

related post

Jednym z pierwszych systemów metalizacji wielowarstwowej odpornym termicznie, odpornym na elekromigrację i korozję elektrochemiczną oraz względnie łatwym w procesie wytwarzania połączeń jest system metalizacji trój warstwowe j: tytan+platyna+złoto lub tytan+pal- lad+złoto W tego typu metalizacji warstwa pośrednia platyny lub palladu stanowi barierę dla procesów dyfuzji złota i jednocześnie jest modyfikatorem potencjału elektrochemicznego. Zastosowanie warstwy przejściowej Pt lub Pd o właściwościach elektroujemnych względem Ti, który jest metalem elektrododatnim, wpływa stabilizująco na właściwości elektrochemiczne układu i modyfikuje korozję warstwy tytanu, który stosuje się w celu zapewnienia dobrej adhezji metalizacji w obszarach kontaktów oraz na pozostałych powierzchniach struktury krzemowej. W przypadku stosowania warstwy przejściowej Pd, reakcje zachodzące między tytanem i palladem mogą prowadzić np. do wytworzenia się międzymetalicznej warstwy Ti3Pd, która stanowi zaporę dla procesów dyfuzji złota w kierunku kontaktu Si?PtSi. Metalizację Ti?Pt?Au lub Ti?Pd?Au wykonuje się techniką rozpylania katodowego w układzie magnetronowym w czasie jednego próżniowego procesu technologicznego, bez zapowietrzania komory roboczej napylarki ze względu na silne utlenianie się Ti. Warstwę dielektryczną izolującą metalizację od podłoża krzemowego stanowi układ dwuwarstwowy SiO2?Si3N4. Jako wierzchnią warstwę pasywującą stosuje się SiO2 ? P205 lub w specjalnych rozwiązaniach konstrukcyjnych dwuskładnikową warstwę dielektryczną Si3N4?SiO2.

Przeczytaj także: Osadzanie prozniowe

 

Stosowane obecnie w technologii metalizacji krzemowych przyrządów półprzewodnikowych cienkie warstwy metaliczne są osadzane próżniowo przy zastosowaniu następujących technik: naparowania próżniowego za pomocą źródeł par grzanych oporowo , indukcyjnie oraz wiązką elektronową, rozpylania katodowego w układzie diodowym oraz magnetronowym stałoprądowym lub radiowej częstotliwości. W technologii układów scalonych MOS i bipolarnych stosuje się naparowywanie próżniowe za pomocą dział elektronowych oraz rozpylanie katodowe. W procesach osadzania próżniowego metali trudnotopliwych oraz warstw stopowych powszechnie używa się systemów magnetronowych do rozpylania katodowego. W porównaniu z warstwami metalicznymi naparowywanymi próżniowo warstwy osadzane techniką rozpylania magnetronowego charakteryzują się: lepszym pokryciem schodków tlenkowych w otworach kontaktowych do Si, dobrą adhezją do podłoży krzemowych oraz warstw tlenków i szkliw krzemowych, dzięki możliwości wykonania przed procesem osadzania próżniowego czyszczenia powierzchni podłoży techniką trawienia jonowego, dużą jednorodnością mikrostruktury osadzonej warstwy i gładkością powierzchni, co wyraźnie poprawia jakość i powtarzalność procesów fotolitografii i trawienia, bardzo dobrą jednorodnością składu warstw stopowych np. A1 + + 2% Si+4% Cu.