Znaczenie operacji montażowych istotnie wzrosło z chwilą rozpoczęcia produkcji germanowych stopowo-dyfuzyjnych tranzystorów wielkiej częstotliwości, lecz prawdziwy ich rozwój rozpoczął się dopiero po całkowitym opanowaniu technologii krzemowych elementów planarnych”. Technologia ta, niezwykle przydatna do produkcji wielkoseryjnej, umożliwiła znaczny jej wzrost w stosunkowo krótkim okresie. Po osiągnięciu dobrej powtarzalności operacji ?płytkowych” wydajność struktur dobrych na płytce znacznie wzrosła, wprowadzane zaś równolegle zmniejszenie tzw. modułu zwiększyło liczbę struktur wykonywanych jednocześnie w jednym procesie, a tym samym koszt jednostkowy struktury obniżył się tak znacznie, iż głównym składnikiem kosztu gotowego elementu stała się jego obudowa oraz robocizna montażu. Musiało to spowodować natychmiastową koncentrację wysiłków w kierunku zmniejszenia kosztu operacji montażowych. Jednocześnie wciąż rosnące wymagania w zakresie trwałości i stabilności przyrządów półprzewodnikowych, przede wszystkim dla zastosowań profesjonalnych, wojskowych lub kosmicznych spowodowały wzrost wymagań w stosunku do montażu i hermetyzacji. Analizy mechanizmów uszkodzeń gotowych przyrządów wykazały, że znaczny procent uszkodzeń może być przypisany tym właśnie operacjom . Na przykład według badań firmy Philco-Ford z 1969 r. finansowanych przez NASA ok. 23% uszkodzeń wynikało z wad połączeń drutowych, ok. 17% z wad lutowania i ok. 4% ze względu na nieszczelność ? stanowiło to więc łącznie ok. 44% uszkodzeń.

Przeczytaj także: Metalizacja wielopoziomowa

Metalizację wielopoziomową stosuje się w celu zwiększenia gęstości upakowania, szybkości działania oraz uzysku w procesie wytwarzania układów scalonych. Zwiększenie uzysku przez zmniejszenie powierzchni struktury oraz zwiększenie stopnia upakowania struktur układów scalonych na płytce krzemowej daje w efekcie zmniejszenie kosztów produkcji. Zysk otrzymany w wyniku zwiększenia gęstości upakowania na płytce krzemowej jest znacznie większy niż koszty dodatkowych procesów technologicznych wymaganych dla otrzymania metalizacji wielopoziomowej. W porównaniu z konwencjonalnymi systemami kontaktów i połączeń cienkowarstwowych, metalizacja wielopoziomowa wymaga opanowania bardzo skomplikowanych problemów związanych z następującymi procesami: ? osadzania próżniowego warstw metalicznych o dużej czystości, o pozbawionej defektów strukturze objętościowej i powierzchni oraz o małych naprężeniach; efekty związane ze stabilnością układu Si?SiO2, zwarcia i upłynności pomiędzy poszczególnymi poziomami metalizacji, zwarcia i upływności powierzchniowe pomiędzy sąsiednimi ścieżkami tego samego poziomu metalizacji, ? przerwy lub znaczny wzrost rezystancji połączeń metalicznych .